Described is a sputtering target assembly of high purity copper diffusion bonded to a precipitation hardened aluminum alloy backing plate via an intermediate layer of a CuCr alloy and in which the copper contains a micro alloy addition of at least one of Ag, Su, Te, In, Mg, B, Bi, Sb and/or P. Also disclosed is a method that includes preparation of a master alloy for addition to high purity copper and fabricating, heat treating and diffusion bonding processes to produce a sputtering target assembly with a stable fine-grained target microstructure.

È descritta un montaggio polverizzare dell'obiettivo di diffusione del rame di elevata purezza legato ad una piastra della protezione indurita precipitazione della lega di alluminio via uno strato intermedio di una lega di CuCr ed in quale il rame contiene una micro aggiunta della lega almeno di una di AG, di Su, di Te, dentro, di magnesio, della B, della Bi, dello Sb e/o della P. Inoltre è rilevato un metodo che include la preparazione di una lega matrice per l'aggiunta al rame ed a fabbricare di elevata purezza, trattare di calore ed i processi di bonding di diffusione produrre un complessivo di polverizzazione dell'obiettivo con una microstruttura a grana fine stabile dell'obiettivo.