The invention relates to a method for monitoring a production process, whereby several models are used for detecting a finish point. The results of the model are subsequently compared with one another and the best model therefrom is used in other production processes to detect a finish point. The inventive method provides the advantage that process changes resulting from chamber contaminations or sensor drift are compensated for by selecting the best model, thereby ensuring reliable finish point detection even in case of unfavorable process conditions.

Die Erfindung bezieht auf einer Methode für die Überwachung eines Produktion Prozesses, hingegen einige Modelle für das Ermitteln eines Endepunktes benutzt werden. Die Resultate des Modells werden nachher miteinander verglichen und das beste Modell daher wird in anderen Produktion Prozessen benutzt, um einen Endepunkt zu ermitteln. Die erfinderische Methode liefert den Vorteil, den Prozeßänderungen, werden entschädigt resultierend aus Raumverschmutzungen oder Sensor-Antrieb, indem man das beste Modell vorwählt, dadurch siesicherstellt siesicherstellt zuverlässige Endepunktabfragung sogar falls von den ungünstigen Prozeßbedingungen.

 
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< Heaviest only fail potential

< Quartz crystal monitor wafer for lithography and etch process monitoring

> Method and apparatus for optimizing downstream uniformity

> Method and apparatus for accessing a multiple chamber semiconductor wafer processing system

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