An electrode structure for a capacitor. The electrode structure includes a contact plug comprising an oxidation barrier 208 and a bottom electrode comprising a conductive adhesion-promoting portion 210 and an oxidation-resistant portion 204, the adhesion-promoting portion contacting the oxidation barrier of the contact plug. In further embodiments, the oxidation barrier and adhesion-promoting portion comprise Ti--Al--N.

Una estructura del electrodo para un condensador. La estructura del electrodo incluye un enchufe del contacto que abarca una barrera 208 de la oxidación y un electrodo de tierra que abarca una porción adherencia-que promueve conductora 210 y una porción oxidacio'n-resistente 204, la porción adherencia-que promueve que entra en contacto con la barrera de la oxidación del enchufe del contacto. En otras encarnaciones, la barrera de la oxidación y la porción el adherencia-promover abarcan el ti -- al -- N.

 
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< Nonvolatile ferroelectric memory without a separate cell plate line and method of manufacturing the same

< Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

> Semiconductor device and method of fabricating the same

> CODING CELL OF NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF, AND COLUMN REPAIR CIRCUIT OF NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING THE CODING CELL AND METHOD FOR REPAIRING COLUMN

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