A ferroelectric memory device, e.g., nonvolatile, has an effective layout
by eliminating a separate cell plate line. The ferroelectric memory device
includes first and second split word lines formed over first and second
active regions of a semiconductor substrate, and the first and second
active regions are isolated from each other. Source and drain regions are
formed in the first active region on both sides of the first split word
line and the second active region on both sides of the second split word
line. A conductive barrier layer, a first capacitor electrode and a
ferroelectric layer are sequentially formed on the first and second split
word lines. Two second capacitor electrodes with one connected to one of
the source and drain regions of the second active region is formed over
the first split word line. The other one is connected to one of the source
and drain regions of the first active region and is formed over the second
split word line. First and second bit lines are respectively connected to
the other one of the source and drain regions of the first active region,
and the other one of the source and drain regions of the second active
region.
Ferroelectric приспособление памяти, например, слаболетучее, имеет эффективный план путем исключать отдельно линию плиты клетки. Ferroelectric приспособление памяти вклюает сперва и во-вторых разделенные линии слова сформированные над сперва и во-вторых активно зоны субстрата полупроводника, и первые и вторые активно зоны изолированы от себя. Зоны источника и стока сформированы в первой активно зоне на обеих сторонах первой линии слова разделения и второй активно зоне на обеих сторонах второй линии слова разделения. Проводной слой барьера, первый электрод конденсатора и ferroelectric слой последовательн сформированы на первых и вторых линиях слова разделения. 2 вторых электрода конденсатора при один подключенный до одна из источника и зон стока второй активно зоны сформированы над первой линией слова разделения. Другое одно подключено до одна из источника и зон стока первой активно зоны и сформировано над второй линией слова разделения. Во первых и вторые линии бита соответственно подключите до другое один из источника и стеките зоны первой активно зоны, и другое одно источника и зон стока второй активно зоны.
