A structure and method for extracting parasitic capacitance from a multi-layer wiring structure that creates, for each wiring layer in a wiring structure, a wiring density map and measures a plurality of metal segments in a wiring layer to determine an area occupied by the metal segments. The invention calculates an up area capacitance component for each of the metal segments by multiplying the area occupied by the metal segments by a wiring density from the wiring density map of an overlying wiring layer over the metal segments and by a capacitance coefficient of the overlying wiring layer. To calculate the down area capacitance component for each of the metal segments, the invention multiplies the area occupied by the metal segments by a wiring density, from the wiring density map of an underlying wiring layer under the metal segments and by a capacitance coefficient of the underlying wiring layer. The invention combines the up area capacitance component and the down area capacitance component to form a vertical coupling capacitance component for each of the metal segments.

Μια δομή και μια μέθοδος για την παρασιτική ικανότητα από μια πολυστρωματική δομή καλωδίωσης που δημιουργεί, για κάθε στρώμα καλωδίωσης σε μια δομή καλωδίωσης, έναν χάρτη πυκνότητας καλωδίωσης και τα μέτρα μια πολλαπλότητα του μετάλλου τέμνει σε ένα στρώμα καλωδίωσης για να καθορίσει μια περιοχή που καταλαμβάνεται από τα τμήματα μετάλλων. Η εφεύρεση υπολογίζει ένα επάνω τμήμα ικανότητας περιοχής για κάθε ένα από τα τμήματα μετάλλων με τον πολλαπλασιασμό της περιοχής που καταλαμβάνεται από τα τμήματα μετάλλων από μια πυκνότητα καλωδίωσης από το χάρτη πυκνότητας καλωδίωσης ενός στρώματος καλωδίωσης κάλυψης πέρα από τα τμήματα μετάλλων και από έναν συντελεστή ικανότητας του στρώματος καλωδίωσης κάλυψης. Για να υπολογίσει το κάτω τμήμα ικανότητας περιοχής για κάθε ένα από τα τμήματα μετάλλων, η εφεύρεση την περιοχή που καταλαμβάνεται πολλαπλασιάζει από τα τμήματα μετάλλων από μια πυκνότητα καλωδίωσης, από το χάρτη πυκνότητας καλωδίωσης ενός κρμμένος κάτω από στρώματος καλωδίωσης κάτω από τα τμήματα μετάλλων και από έναν συντελεστή ικανότητας του κρμμένος κάτω από στρώματος καλωδίωσης. Η εφεύρεση συνδυάζει το επάνω τμήμα ικανότητας περιοχής και το κάτω τμήμα ικανότητας περιοχής για να διαμορφώσει ένα κάθετο τμήμα ικανότητας συζεύξεων για κάθε ένα από τα τμήματα μετάλλων.