A method for manufacturing a semiconductor device, includes forming a film on a substrate to be processed in a reaction furnace at a first temperature, unloading the substrate from the reaction furnace, and lowering a temperature in the reaction furnace to a second temperature which is lower than the first temperature, conducting a gas purge, using only an inert gas, in the reaction furnace after the substrate has been unloaded from the reaction furnace.

Метод для изготовлять прибора на полупроводниках, вклюает формировать пленку на субстрате, котор нужно обрабатывать в печи реакции на первой температуре, разгржая субстрат от печи реакции, и понижая температуру в печи реакции к второй температуре которая более низка чем первая температура, дирижирующ продувку газа, использующ только инертный газ, в печи реакции после того как субстрат был расгружен от печи реакции.