An isolation region is embedded in a semiconductor substrate. The height of the upper face of the isolation region is substantially equal to the height of the surface of the semiconductor substrate. A gate electrode is formed on a gate insulating film and over the isolation region. A first side face of the gate electrode is formed over the isolation region. A second side face of the gate electrode is formed over the active region. A field insulator is formed on the isolation region. A first side face of the field insulator contacts with the first side face of the gate electrode. A second side face of the field insulator is continuous with a plane obtained by extending the side face of the isolation region. A sidewall insulator has a sidewall contacting with the second side face of the field insulator and the second side face of the gate electrode.

Una regione di isolamento è inclusa in un substrato a semiconduttore. L'altezza della faccia superiore della regione di isolamento è sostanzialmente uguale all'altezza della superficie del substrato a semiconduttore. Un elettrodo di cancello è formato su una pellicola e su un'eccedenza isolanti del cancello la regione di isolamento. Una faccia del primo lato dell'elettrodo di cancello è formata sopra la regione di isolamento. Una faccia del secondo lato dell'elettrodo di cancello è formata sopra la regione attiva. Un isolante del campo è formato sulla regione di isolamento. Una faccia del primo lato dell'isolante del campo si mette in contatto con con la faccia del primo lato dell'elettrodo di cancello. Una faccia del secondo lato dell'isolante del campo è continua con un aereo ottenuto estendendo la faccia laterale della regione di isolamento. Un isolante del muro laterale ha un muro laterale mettersi in contatto con con la faccia del secondo lato dell'isolante del campo e la faccia del secondo lato dell'elettrodo di cancello.