A ferroelectric capacitor with a multilayer ferroelectric film to prevent degradation of its ferromagnetic characteristics, wherein the ferroelectric film is made of a lower layer of PZT or PLZT formed on a lower electrode and an upper, titanium rich, layer of PZT, PLZT, or PbTiO.sub.3, an upper electrode formed on the upper layer of the ferroelectric film and a protective layer formed to cover the ferroelectric capacitor.

Een ferroelectric condensator met een multilayer ferroelectric film om degradatie van zijn ferromagnetische kenmerken te verhinderen, waarin de ferroelectric film van een lagere laag van PZT gemaakt wordt of PLZT die op een lagere elektrode en een bovenleer, titaniumrijken, laag van PZT, PLZT, of PbTiO.sub.3, een hogere elektrode wordt gevormd vormde zich op de hogere laag van de ferroelectric film en een beschermende laag vormde zich om de ferroelectric condensator te behandelen.

 
Web www.patentalert.com

< Nonvolatile memory

< Ferroelectric memory device and method of forming the same

> Single transistor ferroelectric memory cell, device and method for the formation of the same incorporating a high temperature ferroelectric gate dielectric

> Flip FERAM cell and method to form same

~ 00069