The method of forming a ferroelectric memory device includes forming capacitor patterns over a substrate, each capacitor pattern having an adhesive assistant pattern, a lower electrode, a ferroelectric pattern, and an upper electrode. An oxygen barrier layer is formed over the substrate and is etched to expose a sidewall of the ferroelectric pattern but not a sidewall of the adhesive assistant pattern. Then, a thermal process for curing ferroelectricity of the ferroelectric pattern is performed.

Il metodo di formare un dispositivo di memoria ferroelectric include formare i modelli del condensatore sopra un substrato, ogni modello del condensatore che hanno un modello di aiuto adesivo, un elettrodo più basso, un modello ferroelectric e un elettrodo superiore. Uno strato di sbarramento dell'ossigeno è formato sopra il substrato ed è inciso per esporre un muro laterale del modello ferroelectric ma non un muro laterale del modello di aiuto adesivo. Allora, un procedimento termico per il trattamento del ferroelectricity del modello ferroelectric è realizzato.