A method of forming an integrated ferroelectric/CMOS structure which effectively separates incompatible high temperature deposition and annealing processes is provided. The method of the present invention includes separately forming a CMOS structure and a ferroelectric delivery wafer. These separate structures are then brought into contact with each and the ferroelectric film of the delivery wafer is bonded to the upper conductive electrode layer of the CMOS structure by using a low temperature anneal step. A portion of the delivery wafer is then removed providing an integrated FE/CMOS structure wherein the ferroelectric capacitor is formed on top of the CMOS structure. The capacitor is in contact with the transistor of the CMOS structure through all the wiring levels of the CMOS structure.

Un método de formar una estructura integrada de ferroelectric/CMOS que separe con eficacia la altos deposición de la temperatura y procesos incompatibles del recocido se proporciona. El método de la actual invención incluye por separado la formación de una estructura del Cmos y de una oblea ferroelectric de la entrega. Estas estructuras separadas entonces se traen en contacto con cada uno y la película ferroelectric de la oblea de la entrega es enlazada a la capa conductora superior del electrodo de la estructura del Cmos usando una baja temperatura recuece paso. Una porción de la oblea de la entrega entonces se quita que proporciona una estructura integrada de FE/CMOS en donde el condensador ferroelectric se forma encima de la estructura del Cmos. El condensador está en contacto con el transistor de la estructura del Cmos a través de todos los niveles del cableado de la estructura del Cmos.