A metallized structure for use in a microelectronic circuit is set forth. The metallized structure comprises a dielectric layer, an ultra-thin film bonding layer disposed exterior to the dielectric layer, and a low-Me concentration, copper-Me alloy layer disposed exterior to the ultra-thin film bonding layer. The Me is a metal other than copper and, preferably, is zinc. The concentration of the Me is less than about 5 atomic percent, preferably less than about 2 atomic percent, and even more preferably, less than about 1 atomic percent. In a preferred embodiment of the metallized structure, the dielectric layer, ultra-thin film bonding layer and the copper-Me alloy layer are all disposed immediately adjacent one another. If desired, a primary conductor, such as a film of copper, may be formed exterior to the foregoing layer sequence. The present invention also contemplates methods for forming the foregoing structure as well as electroplating baths that may be used to deposit the copper-Me alloy layer.

Une structure métallisée pour l'usage dans un circuit microélectronique est déterminée. La structure métallisée comporte une couche diélectrique, un extérieur disposé par couche ultra-mince de liaison de film à la couche diélectrique, et bas-je concentration, cuivre-j'extérieur disposé par couche d'alliage à la couche ultra-mince de liaison de film. J'est un métal autre que le cuivre et, de préférence, est zinc. La concentration du j'est moins qu'environ 5 pour cent atomiques, de préférence moins qu'environ 2 pour cent atomiques, et plus de préférence, moins qu'environ 1 pour cent atomique. Dans un mode de réalisation préféré de la structure métallisée, la couche diélectrique, couche ultra-mince de liaison de film et cuivre-je couche sont toute d'alliage immédiatement adjacente disposé une autre. Si désiré, un conducteur primaire, tel qu'un film de cuivre, peut être extérieur formé à l'ordre antérieur de couche. La présente invention contemple également des méthodes pour former la structure antérieure aussi bien que les bains de galvanoplastie qui peuvent être employés pour me déposer cuivre- couche d'alliage.

 
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< Reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece including improved electrode assembly

< Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece

> Method for cleaning semiconductor substrates

> Temperature control system for a thermal reactor

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