A semiconductor wafer is diced before thinning. The wafer is diced only part of the way through, to form grooves which are at least as deep as the final thickness of each chip to be obtained from the wafer. Then, the wafer is placed into a non-contact wafer holder, and the wafer backside is blanket etched with a dry etch, for example, atmospheric pressure plasma etch. The wafer is thinned until the grooves are exposed from the backside. The dry etch leaves the chip's backside smooth. After the grooves have been exposed, the dry etch is continued to remove damage from the chip sidewalls and to round the chips' bottom edges and coners. As a result, the chip becomes more reliable, and in particular more resistant to thermal and other stresses.

Een halfgeleiderwafeltje is gedobbeld alvorens te verdunnen. Het wafeltje is gedobbeld slechts deel door van de manier, om groeven te vormen die zo zoals de definitieve dikte van elke spaander die uit het wafeltje moet worden verkregen minstens diep zijn. Dan, wordt het wafeltje geplaatst in een houder van het niet-contactwafeltje, en het wafeltjeachtereind is algemeen dat met droog wordt geëtst etst, bijvoorbeeld, etst het atmosferische drukplasma. Het wafeltje wordt verdund tot de groeven van het achtereind worden blootgesteld. Droog etst bladeren het vlotte achtereind van de spaander. Nadat de groeven zijn blootgesteld, droog is gebleven etst schade verwijderen uit de spaanderzijwanden en de randen en coners van de spaanders rond maken onderste. Dientengevolge, wordt de spaander betrouwbaarder, en in het bijzonder meer bestand tegen thermische en andere spanningen.