A method for fabricating a thin-film field effect transistor such as a thin-film field effect transistor. The method includes preparing a gate electrode on a substrate, anodizing at least a portion of the gate electrode to form a gate dielectric, and fabricating an electrically conducting source electrode and a drain electrode on the gate dielectric. The method also includes depositing an organic semiconductor on at least a portion of the gate dielectric, the source electrode and the drain electrode.

Метод для изготовлять тонкопленочный транзистор влияния поля such as тонкопленочный транзистор влияния поля. Метод вклюает подготовлять электрод строба на субстрате, анодировать по крайней мере часть электрода строба для того чтобы сформировать диэлектрик строба, и изготовлять электрически дирижируя электрод источника и электрод стока на диэлектрике строба. Метод также вклюает депозировать органический полупроводник на по крайней мере части диэлектрика строба, электрода источника и электрода стока.