Semiconductor laser and fabricating method therefor

   
   

At least a lower cladding layer, an active layer for generating laser light, a first upper cladding layer, an etching stopper layer and a second upper cladding layer are stacked on a substrate. An impurity for restraining laser light absorption is diffused into the second upper cladding layer along a region where a light-emitting end surface is to be formed, under a condition that allows the etching stopper layer to maintain a function of stopping etching for the second upper cladding layer (First annealing process). Etching is performed until the etching stopper layer is reached such that the second upper cladding layer is left in a ridge shape. The impurity in the second upper cladding layer is re-diffused into the active layer to thereby cause local intermixing of the active layer in a portion extending along the light-emitting end surface and located just under the ridge (Second annealing process).

Almeno uno strato più basso del rivestimento, uno strato attivo per la generazione della luce di laser, un primo strato superiore del rivestimento, uno strato del tappo acquaforte e un secondo strato superiore del rivestimento sono impilati su un substrato. Un'impurità per trattenere l'assorbimento della luce del laser è diffusa nel secondo strato superiore del rivestimento lungo una regione dove una superficie luminescente dell'estremità deve essere formata, in una circostanza che permette che lo strato del tappo acquaforte effettui una funzione di arresto acquaforte per il secondo strato superiore del rivestimento (primo processo di ricottura). Acquaforte è effettuata fino a raggiungere lo strato del tappo acquaforte tali che il secondo strato superiore del rivestimento è lasciato in una figura della cresta. L'impurità nel secondo strato superiore del rivestimento re-è diffusa nello strato attivo quindi per causare il miscuglio locale dello strato attivo in una parte che si estende lungo la superficie luminescente dell'estremità ed è situata appena sotto la cresta (secondo processo di ricottura).

 
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< Optical system in the ray path of a confocal fluorescence microscope

< Harmonic generation microscopy

> Generation of stabilized, ultra-short light pulses and the use thereof for synthesizing optical frequencies

> Erbium-doped fiber amplifier and integrated module components

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