Junction stability and yield for spin valve heads

   
   

The possibility of shorting between a spin valve and its underlying magnetic shield layer can be largely eliminated by choosing the bottom spin valve structure. However, doing so causes the hard longitudinal bias that is standard for all such devices to degrade. The present invention overcomes this problem by inserting a thin NiCr, Ni, Fe, or Cr layer between the antiferromagnetic layer and the longitudinal bias layers. This provides a smoother surface for the bias layers to be deposited onto, thereby removing structural distortions to the longitudinal bias layer that would otherwise be present. A process for manufacturing the structure is also described.

Die Möglichkeit des Kurzschlusses zwischen einem Drehbeschleunigungventil und seiner zugrundeliegenden magnetischen Schildschicht kann durch das Wählen der unteren Drehbeschleunigungventilstruktur groß beseitigt werden. Jedoch verursacht das Tun so die harte Längsvorspannung, die Standard ist, damit all diese Vorrichtungen vermindern. Die anwesende Erfindung überwindt dieses Problem, indem sie eine dünne NiCr, Ni, F.E. oder Crschicht zwischen der antiferromagnetic Schicht und den schrägen longitudinalschichten einsetzt. Dieses stellt eine glattere auf niedergelegt zu werden Oberfläche für die schrägen Schichten, zur Verfügung, dadurch esentfernt esentfernt strukturelle Verzerrungen zur schrägen longitudinalschicht, die anders anwesend sein würde. Ein Prozeß für die Produktion der Struktur wird auch beschrieben.

 
Web www.patentalert.com

< Exchange coupling film and electoresistive sensor using the same

< Magnetoresistive device and magnetic memory device

> Magnetoresistive effect element having a ferromagnetic tunneling junction, magnetic memory, and magnetic head

> Nonvolatile memory device utilizing spin-valve-type designs and current pulses

~ 00173