A memory device includes a plurality of memory elements each having: an
antiferromagnetic layer, a first pinned layer coupled to the
antiferromagnetic layer, a nonmagnetic spacer layer coupled to the first
pinned layer, a second pinned layer coupled to the spacer, and a free
layer coupled to the second pinned layer. A plurality of single wiring
circuits are provided, each wiring circuit being coupled to a memory
element. An addressing mechanism applies current pulses to the memory
elements via the single wiring circuits for writing to the memory
elements. The addressing mechanism also applies a sense current to the
memory elements via the single wiring circuits for reading the memory
elements.
Een geheugenapparaat omvat een meerderheid van geheugenelementen elk die heeft: een antiferromagnetic laag, eerste speldde laag die aan de antiferromagnetic laag wordt gekoppeld, een niet-magnetische verbindingsstuklaag die aan de eerste gespelde laag wordt gekoppeld, een tweede gespelde laag die aan het verbindingsstuk wordt gekoppeld, en een vrije laag die aan de tweede gespelde laag wordt gekoppeld. Een meerderheid van enige bedradingskringen wordt verstrekt, elke bedradingskring die aan een geheugenelement wordt gekoppeld. Een het richten mechanisme past huidige impulsen op de geheugenelementen via toe de enige bedradingskringen voor het schrijven aan de geheugenelementen. Het het richten mechanisme past ook een betekenisstroom op de geheugenelementen via toe de enige bedradingskringen voor het lezen van de geheugenelementen.
