Optical semiconductor device having an active layer containing N

   
   

A laser diode includes a substrate, a lower cladding layer or a lower optical waveguide layer substantially free from Al and provided on the substrate, an active layer of a mixed crystal containing Ga and In as a group III element and N, As and/or P as a group V element, provided on the lower cladding layer; and an upper cladding layer or an upper optical waveguide layer substantially free from Al and provided on the active layer.

Μια δίοδος λέιζερ περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα, ένα χαμηλότερο στρώμα επένδυσης ή ένα χαμηλότερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού ουσιαστικά απαλλαγμένο από το Al και που παρέχουν στο υπόστρωμα, ένα ενεργό στρώμα ενός μικτού κρυστάλλου που περιέχει το GA και μέσα ως ομάδα ΙΙΙ στοιχείο και ν, ως ή/και π ως ομάδα Β στοιχείο, που παρέχεται στο χαμηλότερο στρώμα επένδυσης και ένα ανώτερο στρώμα επένδυσης ή ένα ανώτερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού ουσιαστικά απαλλαγμένο από το Al και που παρέχει στο ενεργό στρώμα.

 
Web www.patentalert.com

< Line selected F2 two chamber laser system

< Wavelength monitoring device and method of tunable laser sources

> Laser system and method for spectral narrowing through wavefront correction

> Laser method and apparatus

~ 00173