A method for fabricating a CMOS transistor is disclosed. The present
invention provides a method for producing a CMOS transistor having
enhanced performance since a short channel characteristic and operation
power can be controlled by the duplicate punch stop layer of the pMOS
region and the operation power of the nMOS is also controlled by dopant
concentration of the duplicated LDD region combined by the first LDD
region and the second LDD region.
Un método para fabricar un transistor del Cmos se divulga. La actual invención proporciona un método para producir un transistor del Cmos que realza funcionamiento puesto que una energía corta de la característica y de la operación del canal se puede controlar por la capa duplicada de la parada del sacador de la región del pMOS y la energía de la operación del nMOS también es controlada por la concentración de dopant de la región duplicada de LDD combinada por la primera región de LDD y la segunda región de LDD.
