Integrated circuit with MOSFETS having bi-layer metal gate electrodes

   
   

A method of fabricating integrated circuits includes forming MOSFETs with gate electrodes of a first composition, and sidewall spacers along laterally opposed sides of those gate electrodes, removing the gate electrodes of the first composition, and replacing those gate electrodes with a gate electrode structure having at least two layers of metal. In a further aspect of the present invention, complementary metal oxide semiconductor integrated circuits are fabricated by replacing n-channel transistor gate electrodes with gate electrodes having at least a first metal and a second metal, and further replacing the p-channel transistor gate electrodes with gate electrodes having a third metal and a fourth metal. The first and second metal combination includes, but is not limited to, TiN and Al. The third and fourth metal combination includes, but is not limited to, TaN and Ni; TaN and Pd; and TaN and Pt.

Um método de fabricar circuitos integrados inclui dar forma a mOSFETs com elétrodos de porta de uma primeira composição, e os espaçadores do sidewall ao longo dos lados lateralmente opostos daqueles elétrodos de porta, removendo os elétrodos de porta da primeira composição, e substituindo aqueles elétrodos de porta com um elétrodo de porta estruturam ter ao menos duas camadas de metal. Em um aspecto mais adicional da invenção atual, os circuitos integrados do semicondutor complementar do óxido de metal são fabricados substituindo os elétrodos de porta do transistor da n-canaleta com os elétrodos de porta que têm ao menos um primeiro metal e um segundo metal, e mais adicionais substituindo os elétrodos de porta do transistor da p-canaleta com os elétrodos de porta que têm um terceiro metal e um quarto metal. A primeira e segunda combinação do metal inclui, mas não é limitada a, lata e al. A terceira e quarta combinação do metal inclui, mas não é limitada a, TaN e Ni; TaN e paládio; e TaN e pinta.

 
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