Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and
carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s)
on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and
novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In
particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially
for use as etch-stops and related processes and etchants useful for
microelectronic and nanotechnology fabrication.
Silikon-Germanium-gegründeter Aufbau, der Silikon, Germanium und Carbon (d.h. enthält, Silikon -- GE -- C), Methoden für das Wachsen von von Silikon -- GE -- C Epitaxial- layer(s) auf einem Substrat, die etchants, die für Silikon besonders verwendbar sind -- GE -- C ätzen-stoppt, und Romanmethoden des Gebrauches für Silikon -- GE -- C Aufbau werden zur Verfügung gestellt. Insbesondere bezieht die Erfindung auf Silikon -- GE -- C Aufbau, besonders für Gebrauch wie ätzen-stoppt und in Verbindung stehende Prozesse und die etchants, die für Mikroelektronische und nanotechnology Herstellung nützlich sind.
