Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof

   
   

Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s) on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially for use as etch-stops and related processes and etchants useful for microelectronic and nanotechnology fabrication.

De op silicium-germanium-gebaseerde samenstellingen die uit silicium, germanium, en koolstof (d.w.z., Si -- Duitsland bestaan -- C), methodes om Si te kweken -- Duitsland -- epitaxial laag van C (s) op een substraat, etchants vooral geschikt voor Si -- Duitsland -- C etsen-einden, en nieuwe methodes van gebruik voor Si -- Duitsland -- worden de samenstellingen van C verstrekt. In het bijzonder heeft de uitvinding op Si betrekking -- Duitsland -- de samenstellingen van C, vooral voor gebruik als etsen-einden en verwante processen en etchants nuttig voor micro-electronische en nanotechnologievervaardiging.

 
Web www.patentalert.com

< Device for incorporation and release of biologically active agents

< Implant material

> Self-assembling multimeric nucleic acid constructs

> Wet chemical etchants

~ 00170