A novel chemistry, system and application technique reduces contamination
of semiconductor wafers and similar substrates and enhances and expedites
processing. A stream of liquid chemical is applied to the workpiece
surface. Ozone is delivered either into the liquid process stream or into
the process environment. The ozone is preferably generated by a high
capacity ozone generator. The chemical stream is provided in the form of a
liquid or vapor. A boundary layer liquid or vapor forms on the workpiece
surface. The thickness of the boundary layer is controlled. The chemical
stream may include ammonium hydroxide for simultaneous particle and
organic removal, another chemical to raise the pH of the solution, or
other chemical additives designed to accomplish one or more specific
cleaning steps.
Um chemistry da novela, um sistema e uma técnica da aplicação reduzem a contaminação de wafers de semicondutor e de carcaças similares e realçam e expedem processar. Um córrego do produto químico líquido é aplicado à superfície do workpiece. O ozônio é entregado no córrego process líquido ou no ambiente process. O ozônio é gerado preferivelmente por um gerador do ozônio da capacidade elevada. O córrego químico é fornecido no formulário de um líquido ou de um vapor. Um líquido ou um vapor da camada de limite dão forma na superfície do workpiece. A espessura da camada de limite é controlada. O córrego químico pode incluir o hydroxide de ammonium para a partícula simultânea e a remoção orgânica, um outro produto químico para levantar o pH da solução, ou outros aditivos químicos projetados realizar um ou mais etapa específica da limpeza.
