Avalanche photodiode having an extrinsic absorption region


An avalanche photodiode comprises, in various implementations, a p-doped absorption region fabricated from a first material and joined along a hetero-junction with one side of an intrinsic charge-carrier multiplication region fabricated from a second material. Situated on an opposite side of the multiplication region is an n-doped diode cathode. Under reverse bias, the p-doped and n-doped regions assume, respectively, a negative charge and a positive charge and an electric field is present in the multiplication region. The first and second materials are selected to one of (i) minimize and (ii) render non-existent any conduction-band-dependent potential barrier opposing the diffusion of electrons from the absorption region into the multiplication region. Additionally, in various implementations, the first and second materials are furthermore selected to one of (i) minimize and (ii) render non-existent any valence-band-dependent potential barrier opposing the movement of holes from the multiplication region into the absorption region. The thickness of the absorption region in alternative implementations is indicated by the diffusion-length characteristics of the first material.

Eine Lawine Fotodiode enthält, in den verschiedenen Implementierungen, eine p-lackierte Absorption Region, die von einem ersten Material fabriziert wird und entlang einem Hetero-junction mit einer Seite einer tatsächlichen Ladungsträgervermehrungregion verbunden ist, die von einem zweiten Material fabriziert wird. Auf einer gegenüberliegenden Seite der Vermehrungregion worden gestellt eine n-lackierte Diode Kathode auf. Unter Gegenmagnetisierung nehmen die p-lackierten und n-lackierten Regionen beziehungsweise eine negative Aufladung an und eine positive Aufladung und ein elektrisches fangen ist anwesend in der Vermehrungregion auf. Die ersten und zweiten Materialien werden bis eins von (i) herabsetzen vorgewählt und (ii) übertragen nicht vorhanden jede Übertragung-Band-abhängige Potentialschwelle, die der Diffusion (Zerstäubung) der Elektronen von der Absorption Region in die Vermehrungregion entgegensetzt. Zusätzlich in den verschiedenen Implementierungen, werden die ersten und zweiten Materialien ausserdem bis eins von (i) herabsetzen vorgewählt und (ii) übertragen nicht vorhanden jede Wertigkeit-Band-abhängige Potentialschwelle, die der Bewegung der Bohrungen von der Vermehrungregion in die Absorption Region entgegensetzt. Die Stärke der Absorption Region in den alternativen Implementierungen wird durch die Diffusion (Zerstäubung)-Länge Eigenschaften des ersten Materials angezeigt.

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