A semiconductor integrated circuit including an LDMOS device structure
includes a semiconductor layer with a pair of spaced-apart field effect
gate structures over an upper surface of the semiconductor layer. First
and second spaced-apart source regions of a first conductivity type are
formed in a portion of the layer between the pair of gate structures with
a first region of a second conductivity type formed there between. A
lightly doped body region of a second conductivity type is formed in the
semiconductor layer, extending from below the source regions to below the
gate structures and extending a variable depth into the semiconductor
layer. This body region is characterized by an inflection in depth in that
portion of the body region extending below the first region.
Цепь полупроводника интегрированная включая структуру приспособления LDMOS вклюает слой полупроводника с парой razmecennyx-vroz6 структур строба влияния поля над верхней поверхностью слоя полупроводника. Во первых и во-вторых razmecennye-vroz6 зоны источника первого типа проводимости сформированы в части слоя между парой структур строба с первой зоной второго типа проводимости сформированного там. Светло данная допинг зона тела второго типа проводимости сформирована в слое полупроводника, удлиняя from below зоны источника к под структурам строба и расширяя переменную глубину в слой полупроводника. Эта зона тела охарактеризована инфлекцией в глубине в той части зоны тела удлиняя под первой зоной.
