A multi-bit Read Only Memory (ROM) cell has a semiconductor substrate of a
first conductivity type with a first concentration. A first and second
regions of a second conductivity type spaced apart from one another are in
the substrate. A channel is between the first and second regions. The
channel has three portions, a first portion, a second portion and a third
portion. A gate is spaced apart and is insulated from at least the second
portion of the channel. The ROM cell has one of a plurality of N possible
states, where N is greater than 2. The possible states of the ROM cell are
determined by the existence or absence of extensions or halos that are
formed in the first portion of the channel and adjacent to the first
region and/or in the third portion of the channel adjacent to the second
region. These extensions and halos are formed at the same time that
extensions or halos are formed in MOS transistors in other parts of the
integrated circuit device, thereby reducing cost.
Клетка прочитанной только памяти мулти-bita (rom) имеет субстрат полупроводника первого типа проводимости с первой концентрацией. Первые и вторые зоны второго типа проводимости размеченного отдельно от одного другое находятся в субстрате. Канал находится между первыми и вторыми зонами. Канал имеет 3 части, первой часть, вторую часть и третью часть. Строб размечен врозь и изолирован от по крайней мере второй части канала. Клетка rom имеет одну из множественности положений н по возможности, где н greater than 2. По возможности положения клетки rom обусловлены существованием или отсутствием выдвижений или венчиков сформированы в первой части канала и за первой зоной and/or в третей части канала за второй зоной. Сформированы эти выдвижения и венчики в то же самое время, что выдвижения или венчики сформированы в транзисторах mos в других частях приспособления интегрированной цепи, таким образом уменьшающ цену.
