Semiconductor device

   
   

A dummy cell includes a plurality of first memory cells MC for storing "1" or "0", arranged at points of intersection between a plurality of word lines WR0 to WR7 and a plurality of first data lines D0 to D7, a plurality of first dummy cells MCH for storing "1" or "0", arranged at points of intersection between the word lines WR0 to WR7 and a first dummy data line, and a plurality of second dummy cells MCL for storing "0", arranged at points of intersection between the word lines WR0 to WR7 and a second dummy data line DD1.

Думмичная клетка вклюает множественность первые ячейкы памяти MC для хранить "1" или "0", аранжированный на этапы пересечения между множественностью линий WR0 слова к WR7 и множественностью первые телевизионная строка с данными телетекста d0 к D7, множественности первых думмичных клеток MCH для хранить "1" или "0", аранжированных на этапы пересечения между линиями WR0 слова к WR7 и первому думмичному телевизионная строка с данными телетекста, и множественности вторых думмичных клеток MCL для хранить "0", аранжированных на этапы пересечения между линиями WR0 слова к WR7 и второму думмичному телевизионная строка с данными телетекста DD1.

 
Web www.patentalert.com

< Asymmetric patterned magnetic memory

< Thin film magnetic memory device conducting read operation by a self-reference method

> Multiple level built-in self-test controller and method therefor

> MRAM semiconductor memory configuration with redundant cell arrays

~ 00165