In read operation, a current from a current supply transistor flows through
a selected memory cell and a data line. Moreover, a bias magnetic field
having such a level that does not destroy storage data is applied to the
selected memory cell. By application of the bias magnetic field, an
electric resistance of the selected memory cell changes in the positive or
negative direction depending on the storage data level. A sense amplifier
amplifies the difference between voltages on the data line before and
after the change in electric resistance of the selected memory cell. Data
is thus read from the selected memory cell by merely accessing the
selected memory cell. Moreover, since the data line and the sense
amplifier are insulated from each other by a capacitor, the sense
amplifier can be operated in an optimal input voltage range regardless of
magnetization characteristics of the memory cells.
Dans l'opération "lecture", un courant d'un transistor d'approvisionnement courant traverse une cellule de mémoire choisie et une ligne de données. D'ailleurs, un champ magnétique polarisé ayant un tel niveau qui ne détruit pas des données de stockage est appliqué à la cellule de mémoire choisie. Par l'application du champ magnétique polarisé, une résistance électrique de la cellule de mémoire choisie change dans la direction positive ou négative selon le niveau hiérarchique de données de stockage. Un amplificateur de sens amplifie la différence entre les tensions sur la ligne de données before.and.after le changement de la résistance électrique de la cellule de mémoire choisie. Des données sont ainsi lues de la cellule de mémoire choisie en accédant simplement à la cellule de mémoire choisie. D'ailleurs, puisque la ligne de données et l'amplificateur de sens sont isolés de l'un l'autre par un condensateur, l'amplificateur de sens peut être actionné dans une gamme de tension d'entrée optimale indépendamment des caractéristiques de magnétisation des cellules de mémoire.
