In a method of manufacturing a magnetic memory device comprising a writing
word line (first wiring) and a bit line (second wiring)
three-dimensionally orthogonally intersecting therewith, with a TMR device
therebetween, a first mask to be a mask shape for the TMR device is
formed, the TMR device is formed by use of the first mask as a mask,
thereafter a second mask to be used for forming a wiring for connecting
the TMR device to a wiring on the lower side thereof is formed while
causing at least a part of the second mask to overlap with the first mask
so that the first mask becomes a mask at one end side of the wiring, and a
connection wiring for connecting the TMR device to the wiring on the lower
side thereof is formed by use of the first and second masks.
В методе изготовлять магнитное приспособление памяти сформировано состоять из линии слова сочинительства (первой проводки) и линии бита (второй проводки) three-dimensionally ортогонально пересекая therewith, с приспособлением TMR therebetween, первая маска для того чтобы быть формой маски для приспособления TMR, приспособление TMR сформировано by use of первая маска как маска, в дальнейшем вторая маска, котор нужно использовать для формировать проводку для соединять приспособление TMR к проводке на более низкой стороне thereof сформировано пока причиняющ по крайней мере часть второй маски перекрыть с первой маской так, что первая маска станет маска на одном конце сторона проводки, и проводка соединения для соединять приспособление TMR к проводке на более низкой стороне thereof сформированы by use of первые и вторые маски.