Method of manufacturing a tunnel magneto-resistance based magnetic memory device

   
   

In a method of manufacturing a magnetic memory device comprising a writing word line (first wiring) and a bit line (second wiring) three-dimensionally orthogonally intersecting therewith, with a TMR device therebetween, a first mask to be a mask shape for the TMR device is formed, the TMR device is formed by use of the first mask as a mask, thereafter a second mask to be used for forming a wiring for connecting the TMR device to a wiring on the lower side thereof is formed while causing at least a part of the second mask to overlap with the first mask so that the first mask becomes a mask at one end side of the wiring, and a connection wiring for connecting the TMR device to the wiring on the lower side thereof is formed by use of the first and second masks.

В методе изготовлять магнитное приспособление памяти сформировано состоять из линии слова сочинительства (первой проводки) и линии бита (второй проводки) three-dimensionally ортогонально пересекая therewith, с приспособлением TMR therebetween, первая маска для того чтобы быть формой маски для приспособления TMR, приспособление TMR сформировано by use of первая маска как маска, в дальнейшем вторая маска, котор нужно использовать для формировать проводку для соединять приспособление TMR к проводке на более низкой стороне thereof сформировано пока причиняющ по крайней мере часть второй маски перекрыть с первой маской так, что первая маска станет маска на одном конце сторона проводки, и проводка соединения для соединять приспособление TMR к проводке на более низкой стороне thereof сформированы by use of первые и вторые маски.

 
Web www.patentalert.com

< Nonvolatile ferroelectric memory device and method for fabricating the same

< Non-volatile mass storage cache coherency apparatus

> Ferroelectric memory cell array and device for operating the same

> Method of producing a ferroelectric memory and a memory device

~ 00164