A circuit and method for counteracting stray magnetic fields generated by
write currents in an MRAM memory reuses the write current in adjoining
write columns via a current redistribution bus at a first end of the write
lines. A first switch connected to a second end of each write line
controls the write current in the write line. If the first switch is not
conductive, a second switch connects the second end of the write line to a
reference voltage terminal. For write lines located at sub-array edges, a
predetermined amount of spacing may be used to avoid magnetic field
disturbance in an adjacent sub-array. The number of spaces required can be
minimized by specific activation of write line switches.
Un circuito y un método para contrariar los campos magnéticos perdidos generados cerca escriben corrientes en reutilizaciones de una memoria de MRAM que la corriente de escribir en colindar escribe columnas vía un autobús actual de la redistribución en un primer extremo de las líneas del escribir. Un primer interruptor conectó con un segundo final de cada uno escribe a línea controles la corriente de escribir en la línea del escribir. Si el primer interruptor no es conductor, un segundo interruptor conecta el segundo extremo de la línea del escribir con un terminal del voltaje de la referencia. Para escriba las líneas localizadas en secundario-ponen en orden los bordes, una cantidad de espaciamiento predeterminada puede ser utilizado evitar disturbio del campo magnético en un adyacente secundario-ponen en orden. El número de los espacios requeridos se puede reducir al mínimo por la activación específica de escribe la línea interruptores.
