A semiconductor device includes a relatively lower threshold level MOSFET
and relatively higher threshold level MOSFETs of n- and p-types. The
higher threshold level MOSFETs have gate oxide films which is thicker than
that of the lower threshold level MOSFET and, in addition, the gate oxide
film of the higher threshold level MOSFET of n-type is thicker than that
of the higher threshold level MOSFET of p-type. To fabricate the
semiconductor device, implantation treatments of fluorine ions are carried
out before the gate oxide treatment. Specifically, as for the higher
threshold level MOSFETs of n- and p-types, implantation treatments of
fluorine ions are independently carried out with unique implantation
conditions.
Un dispositivo de semiconductor incluye un MOSFET relativamente más bajo del límite de alarma y mOSFETs relativamente más altos del límite de alarma de la n y de los p-tipos. Los mOSFETs más altos del límite de alarma tienen películas del óxido de la puerta que es más grueso que el del MOSFET más bajo del límite de alarma y, además, la película del óxido de la puerta del MOSFET más alto del límite de alarma del n-tipo es más gruesa que el del MOSFET más alto del límite de alarma del p-tipo. Para fabricar el dispositivo de semiconductor, los tratamientos de la implantación de los iones del flúor se realizan antes del tratamiento del óxido de la puerta. Específicamente, en cuanto a los mOSFETs más altos del límite de alarma de la n y de los p-tipos, los tratamientos de la implantación de los iones del flúor se realizan independientemente con condiciones únicas de la implantación.
