A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided
having a high breakdown voltage transistor and a low breakdown voltage
transistor with different driving voltages in a common substrate. The
semiconductor device includes: a semiconductor substrate of a first
conductivity type; a first well of a second conductivity type formed in
the semiconductor substrate; a second well of the first conductivity type
formed within the first well; a third well of the second conductivity type
formed within the first well; a low breakdown voltage transistor of the
second conductivity type formed at the second well; a low breakdown
voltage transistor of the first conductivity type formed at the third
well; and a high breakdown voltage transistor of the first conductivity
type formed at the first well. The second well and the third well have an
impurity concentration higher than an impurity concentration of the first
well.
Прибора на полупроводниках и метод для изготовлять эти же обеспечены имеющ высокий транзистор напряжения тока нервного расстройства и низкий транзистор напряжения тока нервного расстройства с по-разному управляя напряжениями тока в общем субстрате. Прибора на полупроводниках вклюает: субстрат полупроводника первого типа проводимости; первый наилучшим образом из второго типа проводимости сформировало в субстрате полупроводника; секунда наилучшим образом первого типа проводимости сформировала в пределах первое хорошего; треть наилучшим образом второго типа проводимости сформировала в пределах первое хорошего; низкий транзистор напряжения тока нервного расстройства второго типа проводимости сформировал на секунде наилучшим образом; низкий транзистор напряжения тока нервного расстройства первого типа проводимости сформировал на трети наилучшим образом; и высокий транзистор напряжения тока нервного расстройства первого типа проводимости сформировал на первое хорошем. Добро секунды и добро трети имеют концентрацию примеси более высоко чем концентрация примеси первое хорошего.
