In a method in the fabrication of an organic thin-film semiconducting
device comprising an electrode arrangement with electrodes contacting a
semiconducting organic material, an anode in the electrode arrangement is
made as a two-layer structure, where the first layer is a conducting or
semiconducting material or a combination thereof deposited on a substrate
and a second layer is a conducting polymer with a work function higher
than that of the material in the first layer. A third layer consisting of
semiconducting organic material and forming the active material of the
device is deposited on the top of the anode, and the cathode made of a
fourth layer of a metal deposited on a third layer. In a preferred
embodiment a low work function metal is used in the first layer, a doped
conjugated polymer such as PEDOT-PSS in the second layer, while the
cathode may be formed of the same metal as used in the first layer. Use in
the manufacturing of the electrode arrangement in an organic thin-film
diode or in a transistor structure.
Em um método na fabricação de um dispositivo semiconducting thin-film orgânico que compreende um arranjo do elétrodo com os elétrodos que contatam um material orgânico semiconducting, um ânodo no arranjo do elétrodo é feito como uma estrutura da dois-camada, onde a primeira camada seja conduzir ou o material semiconducting ou uma combinação depositada disso em uma carcaça e em uma segunda camada sejam um polímero conduzindo com uma função do trabalho mais altamente do que aquela do material na primeira camada. Um material orgânico semiconducting consistindo da terceira camada e dar forma ao material ativo do dispositivo são depositados no alto do ânodo, e no cátodo feito de uma quarta camada de um metal depositado em uma terceira camada. Em uma incorporação preferida um metal baixo da função do trabalho está usado na primeira camada, um polímero conjugated doped tal como PEDOT-PSS na segunda camada, quando o cátodo puder ser dado forma do mesmo metal que usado na primeira camada. Uso no manufacturing do arranjo do elétrodo em um diodo thin-film orgânico ou em uma estrutura do transistor.
