A silicon carbide (SiC) substrate is provided with an off-oriented {0001}
surface whose off-axis direction is <11-20>. A trench is formed on
the SiC to have a stripe structure extending toward a <11-20>
direction. An SiC epitaxial layer is formed on an inside surface of the
trench.
Σε ένα υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχεται μια από-προσανατολισμένη {$l*0001 } επιφάνεια η της οποίας εκτός άξονα κατεύθυνση είναι. Μια τάφρος διαμορφώνεται στο SiC για να έχει μια δομή λωρίδων που επεκτείνεται προς μια κατεύθυνση. Ένα κρυσταλλικό στρώμα SiC διαμορφώνεται σε μια εσωτερική επιφάνεια της τάφρου.
