A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same, capable of
preventing an interface between an active region and a field region in the
CMOS image sensor from being damaged by ion implantation. The method
comprises the steps of depositing a sacrificial oxide layer and a hard
mask layer on a semiconductor substrate; etching the sacrificial oxide
layer and the hard mask layer to form a mask pattern; etching the
substrate to a predetermined depth to form a trench; depositing an
isolating material in the trench and planarizing it until substantially
coplanar with the hard mask layer; removing the hard mask layer to leave a
protrusion in the isolating layer; depositing an insulating layer on the
substrate and isolating layer; and etching the insulating layer and the
sacrificial oxide layer sufficiently to form a spacer mask and expose the
surface of the substrate.
Ein CMOS Bild-Sensor und eine Methode für die Produktion dasselbe, ein fähig zum Verhindern einer Schnittstelle zwischen einer aktiven Region und einer auffangenregion im CMOS Bild-Sensor an durch Ionenimplantation beschädigt werden. Die Methode enthält die Schritte vom Niederlegen einer Opferoxidschicht und der harten Schablone Schicht auf einem Halbleitersubstrat; Ätzen der Opferoxidschicht und der harten Schablone Schicht, um eine Maskenvorlage zu bilden; Ätzen des Substrates zu einer vorbestimmten Tiefe, um einen Graben zu bilden; ein lokalisierendes Material im Graben und im Planarizing ihn bis im wesentlichen koplanares mit der harten Schablone Schicht niederlegen; die harte Schablone entfernend, überlagern Sie, um eine Vorwölbung in der lokalisierenden Schicht zu lassen; eine Isolierschicht auf dem Substrat und dem Lokalisieren von von Schicht niederlegen; und Radierung die Isolierschicht und die Opferoxidschicht genug, zum einer Distanzscheibe Schablone zu bilden und der Oberfläche des Substrates herauszustellen.
