A good interface characteristic can be maintained, and a leakage current of
a dielectric film can be decreased. A semiconductor device according to
one aspect of the present invention includes: a semiconductor substrate; a
gate dielectric film containing at least nitrogen and a metal, the gate
dielectric film being formed on the semiconductor substrate, and including
a first layer region contacting the semiconductor substrate, a second
layer region located at a side opposite to that of the first layer region
in the gate dielectric film, and a third layer region located between the
first and second layer regions, a maximum value of a nitrogen
concentration in the third layer region being higher than maximum values
thereof in the first and second layer regions; a gate electrode contacting
the second layer region; and a pair of source and drain regions formed at
both sides of the gate dielectric film in the semiconductor substrate.
Une bonne caractéristique d'interface peut être maintenue, et un courant de fuite d'un film diélectrique peut être diminué. Un dispositif de semi-conducteur selon un aspect de la présente invention inclut : un substrat de semi-conducteur ; un film diélectrique de porte contenant au moins l'azote et un métal, le film diélectrique de porte étant formé sur le substrat de semi-conducteur, et incluant une première région de couche entrant en contact avec le substrat de semi-conducteur, une deuxième région de couche située à un côté vis-à-vis celle de la première région de couche dans le film diélectrique de porte, et d'une troisième région de couche située entre les premières et deuxièmes régions de couche, une valeur maximum d'une concentration en azote dans la troisième région de couche étant plus haute que des valeurs maximum en dans les premières et deuxièmes régions de couche ; une électrode de porte entrant en contact avec la deuxième région de couche ; et une paire de régions de source et de drain formées sur les deux côtés du film diélectrique de porte dans le substrat de semi-conducteur.
