The present invention presents methods for modeling the high frequency and
noise characterization of MOSFETs. The models may be readily implemented
as part of a SPICE or other simulation in a design flow. In particular,
this invention is capable of providing a sub-circuit representation of a
MOSFET that can accurately predicate a MOSFET's low frequency, high
frequency, and noise characterizations. An interface is described through
which a user may simultaneously optimize all of these characterizations.
Further, methods are presented for building models that can predicate the
variations in MOSFETs due to manufacturing processes and generate a
corresponding corner model.
I metodi attuali di invenzione del presente per la modellistica della descrizione di rumore e di frequenza dei mOSFETs. I modelli possono essere effettuati prontamente come componente di una SPEZIA o dell'altra simulazione in un flusso di disegno. In particolare, questa invenzione è capace di fornire una rappresentazione del secondario-circuito di un MOSFET che può affermare esattamente i MOSFET's a bassa frequenza, ad alta frequenza e delle descrizioni di rumore. Un'interfaccia è descritta attraverso cui un utente può ottimizzare simultaneamente tutte queste descrizioni. Più ulteriormente, i metodi sono presentati per i modelli della costruzione che possono affermare le variazioni in mOSFETs dovuto i processi di manufacturing e generano un modello d'angolo corrispondente.
