Wide band cross point switch using MEMS technology

   
   

A multilayer switching assembly for switching high frequency signals has MEMS structures on a ceramic substrate having a top surface, a bottom surface and a plurality of insulating layers. The insulating layers are separated by a first conductor and a second conductor. The first conductor is connected to a ground potential. The second conductor is separated from the first conductor by one of the insulating layers. The second conductor presents a specific impedance (50 ohms) with respect to the first conductor to high frequency signals traveling on the second conductor. 64 MEMS structures are mounted on the top surface. Each MEMS has an input, an output, and a control. The input connected to the second conductor. The output is connected to a coplanar waveguide placed on the top surface. The control is connected to the bottom surface. The input to each MEMS is electrically shielded from the output and from the control by a third conductor connected to the first (grounded) conductor. The third conductor traverses one or more of the insulating layers thereby acting as a shield and precluding the high frequency signals presented to the input from propagating to the output and to the control. The 64 MEMS are arranged in a square 8 by 8 matrix, as well as their controls. High frequency inputs and outputs to be switched by the MEMS are placed on the periphery of the substrate to further enhance the separation of signals. Terminating resistors (50 ohms) are also placed near the periphery.

Eine mehrschichtige Schaltung für Schaltung Hochfrequenzsignale hat MEMS Strukturen auf einem keramischen Substrat, das eine Oberfläche, eine Grundfläche und eine Mehrzahl von Isolierschichten hat. Die Isolierschichten werden durch einen ersten Leiter und einen zweiten Leiter getrennt. Der erste Leiter wird an ein Grundpotential angeschlossen. Der zweite Leiter wird vom ersten Leiter durch eine der Isolierschichten getrennt. Der zweite Leiter stellt einen spezifischen Widerstand (50 Ohm) in Bezug auf den ersten Leiter den Hochfrequenzsignalen dar, die auf den zweiten Leiter reisen. 64 MEMS Strukturen werden an der Oberfläche angebracht. Jedes MEMS hat einen Eingang, einen Ausgang und eine Steuerung. Der Eingang schloß an den zweiten Leiter an. Der Ausgang wird an einen koplanaren Wellenleiter angeschlossen, der auf die Oberfläche gesetzt wird. Die Steuerung wird an die Grundfläche angeschlossen. Der Eingang zu jedem MEMS wird elektrisch vom Ausgang und von der Steuerung durch einen dritten Leiter abgeschirmt, der an den ersten angeschlossen wird (geerdeten) Leiter. Der dritte Leiter eine oder mehr der Isolierschichten überquert, dadurch esdient esdient, als ein Schild und das Ausschließen der Hochfrequenzsignale dem Eingang vom Fortpflanzen dem Ausgang und der Steuerung sich darstellten. Die 64 MEMS werden in einem Quadrat 8 durch Matrix 8, sowie ihre Kontrollen geordnet. Die durch das MEMS geschaltet zu werden Hochfrequenzeingänge und Ausgänge, werden auf die Peripherie des Substrates gesetzt, um die Trennung der Signale weiter zu erhöhen. Beendend werden Widerstände (50 Ohm) auch nahe der Peripherie gesetzt.

 
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< Electrode configuration in a MEMS switch

< Reticle inspection

> Systems and methods for improving the performance of sensing devices using oscillatory devices

> SYSTEM AND METHOD FOR EFFECTING HIGH-POWER BEAM CONTROL WITH OUTGOING WAVEFRONT CORRECTION UTILIZING HOLOGRAPHIC SAMPLING AT PRIMARY MIRROR, PHASE CONJUGATION, AND ADAPTIVE OPTICS IN LOW POWER BEAM PATH

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