Contact openings in semiconductor substrates are formed through insulative
layers using an etchant material. The etchant typically leaves behind a
layer of etch residue which interferes with the subsequent deposition of
conductive material in the opening, as well as the conductive performance
of the resulting contact. A method of etch removal from semiconductor
contact openings utilizes ammonia to clean the surfaces thereof of any
etch residue.
Отверстия контакта в субстратах полупроводника сформированы через insulative слои использующ etchant материал. Etchant типично выходит за слоем выпарки etch мешает с затем низложением проводного материала в отверстии, так же, как проводное проведение приводя к контакта. Метод удаления etch от отверстий контакта полупроводника использует амиак для того чтобы очистить поверхности thereof любой выпарки etch.
