Semiconductor device using ferroelectric film in cell capacitor, and method for fabricating the same

   
   

A semiconductor device includes a MOS transistor, an interlayer insulating film, a contact plug, a capacitor lower electrode, a ferroelectric film and two capacitor upper electrodes. The MOS transistor is formed on a semiconductor substrate. The interlayer insulating film covers the MOS transistor. The contact plug is connected to an impurity diffusion layer of the MOS transistor. The capacitor lower electrode is formed on the contact plug. The two capacitor upper electrodes are formed on the capacitor lower electrode with the ferroelectric film interposed therebetween. A contact area between the contact plug and the capacitor lower electrode is greater than a contact area between each of the two capacitor upper electrodes and the ferroelectric film. At least a part of a gate electrode of the MOS transistor is located just below a region of the contact plug, which region is in contact with the capacitor lower electrode.

Un dispositivo a semiconduttore include un transistore del MOS, una pellicola isolante dello strato intermedio, una spina del contatto, un elettrodo del condensatore più basso, una pellicola ferroelectric e due elettrodi della tomaia del condensatore. Il transistore del MOS è formato su un substrato a semiconduttore. La pellicola isolante dello strato intermedio copre il transistore del MOS. La spina del contatto è collegata ad uno strato di diffusione dell'impurità del transistore del MOS. L'elettrodo più basso del condensatore è formato sulla spina del contatto. I due elettrodi superiori del condensatore sono formati del condensatore sull'elettrodo più basso con la pellicola ferroelectric interposta therebetween. Una zona di contatto fra la spina del contatto e l'elettrodo più basso del condensatore è più grande di una zona di contatto fra ciascuno dei due elettrodi superiori del condensatore e la pellicola ferroelectric. Almeno una parte di un elettrodo di cancello del transistore del MOS è posizionata appena sotto una regione della spina del contatto, che la regione è in contatto con il condensatore abbassa l'elettrodo.

 
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