The present invention is directed to a process for the manufacture of a
plurality of integrated capacitive transducers. The process comprises the
steps of supplying a first substrate of a semiconductor material having
first and second faces, supplying a second substrate of a semiconductor
material having first and second faces, forming a diaphragm layer on the
first face of the first substrate, forming a backplate layer on the first
face of the other of the second substrate, forming a support layer on the
backplate layer, etching a plurality of supports from the support layer,
for each of the capacitive transducers, etching a plurality of vents from
the backplate layer, for each of the capacitive transducers, positioning
the diaphragm layer of the first substrate adjacent with the support layer
of the second substrate, and welding the diaphragm layer and the support
layer together, removing at least a portion of the first substrate to
expose the diaphragm layer, for each of the capacitive transducers,
removing a portion of the second substrate to expose the vents, for each
of the capacitive transducers, and, etching a portion of the diaphragm
layer, for each of the capacitive transducers.
Die anwesende Erfindung wird auf einen Prozeß für die Herstellung einer Mehrzahl der integrierten kapazitiven Signalumformer verwiesen. Der Prozeß enthält die Schritte vom Liefern eines ersten Substrates eines Halbleitermaterials, das zuerst haben und der zweiten Gesichter und liefert ein zweites Substrat eines Halbleitermaterials, das zuerst haben und der zweiten Gesichter und bildet eine Membranschicht auf dem ersten Gesicht des ersten Substrates und bildet eine Hinterscheibe Schicht auf dem ersten Gesicht vom anderen des zweiten Substrates und bildet eine Unterstützungsschicht auf der Hinterscheibe Schicht und ätzt eine Mehrzahl der Unterstützungen von der Unterstützungsschicht, für jeden der kapazitiven Signalumformer und ätzt eine Mehrzahl der Entlüftungsöffnungen von der Hinterscheibe Schicht, für jeden der kapazitiven Signalumformer und bringt die Membranschicht des ersten Substrates in Position, das angrenzend ist mit der Unterstützungsschicht von das zweite Substrat und Schweißen die Membranschicht und die Unterstützungsschicht zusammen, mindestens einen Teil entfernend des ersten Substrates, um die Membranschicht herauszustellen, für jeden der kapazitiven Signalumformer und entfernen einen Teil des zweiten Substrates, um die Entlüftungsöffnungen herauszustellen, für jeden der kapazitiven Signalumformer und und ätzen einen Teil der Membranschicht, für jeden der kapazitiven Signalumformer.
