The process for manufacturing a through insulated interconnection is
performed by forming, in a body of semiconductor material, a trench
extending from the front (of the body for a thickness portion thereof;
filling the trench with dielectric material; thinning the body starting
from the rear until the trench, so as to form an insulated region
surrounded by dielectric material; and forming a conductive region
extending inside said insulated region between the front and the rear of
the body and having a higher conductivity than the first body. The
conductive region includes a metal region extending in an opening formed
inside the insulated region or of a heavily doped semiconductor region,
made prior to filling of the trench.
Процесс для изготовлять а через изолированное соединение выполнен путем формировать, в теле материала полупроводника, шанец удлиняя от фронта (тела для части толщины thereof; заполнять шанец с диэлектрическим материалом; утончающ тело starting from задий до шанца, для того чтобы сформировать изолированную зону окруженную диэлектрическим материалом; и формирующ проводную зону расширяя внутреннюю сказанную изолированную зону между передним и задим тела и имея более высокую проводимость чем первое тело. Проводная зона вклюает зону металла расширяя в внутренность сформированную отверстием изолированную зону или тяжело данной допинг зоны полупроводника, после того как она сделана до завалки шанца.
