Surface emitting semiconductor laser device

   
   

A surface emitting semiconductor laser device including a substrate, a bottom DBR, and a mesa post having a layer structure, the layer structure including a top DBR including a plurality of pairs, each of said pairs including an Al-containing high-reflectivity layer and an Al-containing low-reflectivity layer, an active layer structure sandwiched between the DBRs for emitting laser, and a current confinement layer disposed within or in a vicinity of one of the DBRs, the current confinement layer including a central current injection area and an annular current blocking area encircling the central current injection area, the annular current blocking area being formed by selective oxidation of Al in an Al.sub.x Ga.sub.1-x As layer (0.95.ltoreq.x<1) having a thickness below 60 nm, the Al-containing low-reflectivity layer including Al at an atomic ratio not more than 0.8 and below 0.9. The progress of the oxidation in the Al-containing compound semiconductor layers can be suppressed during the formation of the current confinement oxide area by restricting the Al content in the specified range, thereby realizing the surface emitting semiconductor laser device having the longer lifetime, or the higher reliability.

Μια επιφάνεια που εκπέμπει τη συσκευή λέιζερ ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένου ενός υποστρώματος, ενός κατώτατου σημείου DBR, και μιας θέσης mesa που έχει μια δομή στρώματος, τη δομή στρώματος συμπεριλαμβανομένου ενός κορυφαίου DBR συμπεριλαμβανομένης μιας πολλαπλότητας των ζευγαριών, κάθε ενός από τα εν λόγω ζευγάρια συμπεριλαμβανομένου ενός Al-perje'hontas στρώματος υψηλός-ανακλαστικότητας και ενός Al-perje'hontas στρώματος χαμηλός-ανακλαστικότητας, μια ενεργός δομή στρώματος στρίμωξε μεταξύ του DBRs για την εκπομπή του λέιζερ, και ένα τρέχον στρώμα περιορισμού διέθεσε μέσα ή σε μια εγγύτητα ένα από το DBRs, το τρέχον στρώμα περιορισμού συμπεριλαμβανομένης μιας κεντρικής τρέχουσας περιοχής εγχύσεων και μιας δακτυλιοειδούς τρέχουσας περιοχής φραξίματος που περικυκλώνει την κεντρική τρέχουσα περιοχή εγχύσεων, η δακτυλιοειδής τρέχουσα περιοχή φραξίματος που διαμορφώνεται από την εκλεκτική οξείδωση του Al σε ένα Al.sub.x γα.σuψ.1-Χ ως στρώμα α μεσα ποστ χαβηνγ α λαυερ στρuθτuρε, τχε λαυερ στρuθτuρε ηνθλuδηνγ α τοπ ΔΨΡ ηνθλuδηνγ α πλuραλητυ οφ παηρς, εαθχ οφ σαηδ παηρς ηνθλuδηνγ αν Αλ-θονταηνηνγ χηγχ-ρεφλεθτηβητυ λαυερ ανδ αν Αλ-θονταηνηνγ λοω-ρεφλεθτηβητυ λαυερ, αν αθτηβε λαυερ στρuθτuρε σανδωηθχεδ ψετωεεν τχε ΔΨΡς φορ εμηττηνγ λασερ, ανδ α θuρρεντ θονφηνεμεντ λαυερ δησποσεδ ωητχην ορ ην α βηθηνητυ οφ ονε οφ τχε ΔΨΡς, τχε θuρρεντ θονφηνεμεντ λαυερ ηνθλuδηνγ α θεντραλ θuρρεντ ηνιεθτηον αρεα ανδ αν αννuλαρ θuρρεντ ψλοθκηνγ αρεα ενθηρθληνγ τχε θεντραλ θuρρεντ ηνιεθτηον αρεα, τχε αννuλαρ θuρρεντ ψλοθκηνγ αρεα ψεηνγ φορμεδ ψυ σελεθτηβε οξηδατηον οφ Αλ ην αν Αλ.σuψ.ξ Γα.σuψ.1-ξ Ας λαυερ (0.95.λτορεq.ξ

 
Web www.patentalert.com

< Light source comprising laser diode module

< Dipolar organic materials producing highly efficient laser-like emission

> Optoelectronic device using a disabled tunnel junction for current confinement

> Combined single-frequency laser and linear amplifier

~ 00153