A semiconductor laser device includes a substrate having on a surface
thereof a semiconductor diode laser portion and a linear amplifier
portion. Each of the laser portion and amplifier portion has a waveguide
layer with the waveguide layers being in alignment. The laser portion is
of a structure which permits it to generate radiation and emit the
radiation from one end. The amplifier has an end that receives the
radiation from the laser portion, and another end with emits the radiation
after the radiation is amplified. The device emits FM radiation but not IM
radiation.
Un dispositif de laser de semi-conducteur inclut un substrat ayant sur une surface en une partie de laser de diode de semi-conducteur et une partie linéaire d'amplificateur. Chacune de la partie de laser et de la partie d'amplificateur a une couche de guide d'ondes avec les couches de guide d'ondes étant alignées. La partie de laser est d'une structure qui des laisux il de produire du rayonnement et d'émettre le rayonnement d'une extrémité. L'amplificateur a une extrémité qui reçoit le rayonnement de la partie de laser, et une autre extrémité avec émet le rayonnement après que le rayonnement soit amplifié. Le dispositif émet le rayonnement de FM mais le rayonnement non IM.
