P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

   
   

A pn-junction-type semiconductor light-emitting device having a single-crystal silicon (Si) substrate of first conduction type; a first boron-phosphide-based semiconductor layer of first conduction type provided on the substrate; a light-emitting layer formed of a Group III-V semiconductor layer of first or second conduction type which is doped with an element belonging to Group IV of the periodic table provided on the first boron-phosphide-based semiconductor layer; and second boron-phosphide-based semiconductor layer of second conduction type formed of a boron-phosphide-based semiconductor layer of second conduction type containing a Group IV element provided on the light-emitting layer. The first boron-phosphide-based semiconductor layer, the light-emitting layer, and the second boron-phosphide-based semiconductor layer form a pn-junction-type hetero structure. In addition, the second conduction type is opposite the first conduction type. Also, disclosed is a method for producing the device.

Een pn-verbinding-type halfgeleider lichtgevend apparaat dat een single-crystal silicium (Si) substraat van eerste geleidingstype heeft; een eerste op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag van eerste geleidingstype dat op het substraat wordt verstrekt; een lichtgevende laag die van een Groep IIIV halfgeleiderlaag van eerst of tweede geleidingstype wordt gevormd dat met een element gesmeerd wordt dat tot Groep IV de periodieke lijst behoort die op de eerste op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag wordt verstrekt; en tweede op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag van tweede geleidingstype dat van een op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag wordt gevormd van tweede geleidingstype dat een Groep IV bevat element dat op de lichtgevende laag wordt verschaft. De eerste op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag, de lichtgevende laag, en de tweede op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag vormen een pn-verbinding-type heterostructuur. Bovendien is het tweede geleidingstype tegenover het eerste geleidingstype. Ook, onthuld is een methode om het apparaat te produceren.

 
Web www.patentalert.com

< Method and system for electrically coupling a chip to chip package

< Light emitting devices with improved extraction efficiency

> Extended length light emitting diode

> Semiconductor mounting system

~ 00149