Nonvolatile memory cell with low doping region

   
   

A technique of fabricating a nonvolatile device includes forming a low doping region to aid in the reduction of substrate hot electrons. The nonvolatile device may be a floating gate device, such as a Flash, EEPROM, or EPROM memory cell. The low doping region has a lower doping concentration than that of the substrate. By reducing substrate hot electrons, this improves the reliability and longevity of the nonvolatile device.

Una tecnica di fabbricare un dispositivo non volatile include formare una regione di verniciatura bassa per aiutare nella riduzione degli elettroni caldi del substrato. Il dispositivo non volatile può essere un dispositivo di galleggiante del cancello, quale un flash, cellula di memoria di EPROM o, di EEPROM. La regione di verniciatura bassa ha una concentrazione di verniciatura più bassa che quella del substrato. Riducendo gli elettroni caldi del substrato, questo migliora l'affidabilità e la longevità del dispositivo non volatile.

 
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