A semiconductor device for electro-optic applications includes a rare-earth
ions doped P/N junction integrated on a semiconductor substrate. The
semiconductor device may be used to obtain laser action in silicon. The
rare-earth ions are in a depletion layer of the doped P/N junction, and
are for providing a coherent light source cooperating with a waveguide
defined by the doped P/N junction. The doped P/N junction may be the
base-collector region of a bipolar transistor, and is reverse biased so
that the rare-earth ions provide the coherent light.
Um dispositivo de semicondutor para aplicações electro-optic inclui os íons rare-earth uma junção doped de P/N integrada em uma carcaça do semicondutor. O dispositivo de semicondutor pode ser usado obter a ação do laser no silicone. Os íons rare-earth estão em uma camada de depletion da junção doped de P/N, e são fornecendo uma fonte clara coherent que coopera com um waveguide definido pela junção doped de P/N. A junção doped de P/N pode ser a região do base-coletor de um transistor bipolar, e é inclinada reverso de modo que os íons rare-earth forneçam a luz coherent.
