A solid state lasing structure comprising a field effect transistor in
which source and drain electrodes are disposed on a semiconducting light
emitting organic polymer forming an active layer on a gate whereby current
between the source and drain electrodes defines and flows along a channel
in the active layer to define a recombination and emission zone.
Uma estrutura lasing do estado contínuo que compreende um transistor de efeito de campo em que a fonte e os elétrodos do dreno são dispostos em uma luz semiconducting que se emite o polímero orgânico que dá forma a uma camada ativa em uma porta por meio de que a corrente entre a fonte e os elétrodos do dreno define e flui ao longo de uma canaleta na camada ativa para definir uma zona do recombination e da emissão.
