A light emitting device for generating at least one beam of output
radiation from an input current of electrons comprises at least two p-n
junction devices for converting the input current of electrons into
photons, wherein the p-n junction devices are electrically connected in
series such that the input impedance of the light emitting device is
substantially equal to the sum of the individual impedance of the p-n
junction devices. Hence the quantum efficiency of the light emitting
device is substantially equal to the sum of the individual quantum
efficiencies of the p-n junction devices. In a preferred embodiment, the
light emitting device comprises a plurality of p-n junction devices
connected in series such that the input impedance of the light emitting
device is equal to 50 .OMEGA. without the need for additional circuitry or
impedance matching elements. The device may therefore have a 50 .OMEGA.
impedance over a broad frequency band, limited by the modulation frequency
limit of the individual p-n junctions. Typically, the p-n junctions may be
AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs or AlGaInAsp laser diode devices. The invention
also relates to an optically coupled bipolar transistor device.
Eine helle ausstrahlende Vorrichtung für das Erzeugen mindestens von von einem Lichtstrahl Ausgang Strahlung von einem Eingang Strom der Elektronen enthält mindestens zwei p-n Verzweigung Vorrichtungen für das Umwandeln des Eingang Stromes der Elektronen in Photonen, worin die p-n Verzweigung Vorrichtungen elektrisch in der Reihe so geschaltet werden, daß der Eingang Widerstand der hellen ausstrahlenden Vorrichtung der Summe des einzelnen Widerstands der p-n Verzweigung Vorrichtungen im wesentlichen gleich ist. Folglich ist die Quanten-Leistungsfähigkeit der hellen ausstrahlenden Vorrichtung der Summe der einzelnen Quanten-Leistungsfähigkeiten der p-n Verzweigung Vorrichtungen im wesentlichen gleich. In einer bevorzugten Verkörperung enthält die helle ausstrahlende Vorrichtung eine Mehrzahl von den p-n Verzweigung Vorrichtungen, die in der Reihe so geschaltet werden, daß der Eingang Widerstand der hellen ausstrahlenden Vorrichtung OMEGA. 50 ohne die Notwendigkeit am zusätzlichen Schaltkreis oder an zusammenpassenden Elementen des Widerstands gleich ist. Die Vorrichtung kann ein OMEGA 50 folglich haben. Widerstand über einem ausgedehnten Frequenzband, begrenzt durch die Modulation Frequenzbegrenzung auf die einzelnen p-n Verzweigungen. Gewöhnlich können die p-n Verzweigungen AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs oder AlGaInAsp Laser sein Diode Vorrichtungen. Die Erfindung bezieht auch auf einer optisch verbundenen zweipoligen Transistorvorrichtung.
