In one aspect, the invention encompasses a semiconductor processing method
wherein a conductive copper-containing material is formed over a
semiconductive substrate and a second material is formed proximate the
conductive material. A barrier layer is formed between the conductive
material and the second material. The barrier layer comprises a compound
having silicon chemically bonded to both nitrogen and an organic material.
In another aspect, the invention encompasses a composition of matter
comprising silicon chemically bonded to both nitrogen and an organic
material. The nitrogen is not bonded to carbon. In yet another aspect, the
invention encompasses a semiconductor processing method. A semiconductive
substrate is provided and a layer is formed over the semiconductive
substrate. The layer comprises a compound having silicon chemically bonded
to both nitrogen and an organic material.
In één aspect, omvat de uitvinding een halfgeleiderverwerkingsprocédé waarin een geleidend koper-bevattend materiaal over een semiconductive substraat wordt gevormd en een tweede materiaal gevormde naburig het geleidende materiaal is. Een barrièrelaag wordt gevormd tussen het geleidende materiaal en het tweede materiaal. De barrièrelaag bestaat uit een samenstelling die silicium chemisch in entrepot op zowel stikstof als een organisch materiaal heeft. In een ander aspect, omvat de uitvinding een samenstelling van kwestie bestaand uit silicium chemisch in entrepot op zowel stikstof als een organisch materiaal. De stikstof wordt niet geplakt op koolstof. In nog een ander aspect, omvat de uitvinding een halfgeleiderverwerkingsprocédé. Een semiconductive substraat wordt verstrekt en een laag wordt gevormd over het semiconductive substraat. De laag bestaat uit een samenstelling die silicium chemisch in entrepot op zowel stikstof als een organisch materiaal heeft.
