A process for heat-treating a single crystal silicon segment to influence
the profile of minority carrier recombination centers in the segment. The
segment has a front surface, a back surface, and a central plane between
the front and back surfaces. In the process, the segment is subjected to a
heat-treatment to form crystal lattice vacancies, the vacancies being
formed in the bulk of the silicon. The segment is then cooled from the
temperature of said heat treatment at a rate which allows some, but not
all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to
produce a segment having a vacancy concentration profile in which the peak
density is at or near the central plane with the concentration generally
decreasing in the direction of the front surface of the segment. Platinum
atoms are then in-diffused into the silicon matrix such that the resulting
platinum concentration profile is substantially related to the
concentration profile of the crystal lattice vacancies.
Un proceso para calor-tratar un segmento del silicio del solo cristal para influenciar el perfil de la recombinación del portador de la minoría se centra en el segmento. El segmento tiene una superficie delantera, una superficie trasera, y un plano central entre el frente y las superficies traseras. En el proceso, el segmento se sujeta a un tratamiento térmico a las vacantes del enrejado cristalino de la forma, las vacantes que son formadas en el bulto del silicio. El segmento entonces se refresca de la temperatura del tratamiento de calor dicho en una tarifa que permita alguno, pero no todas las, vacantes del enrejado cristalino para difundir a la superficie delantera para producir un segmento que tiene un perfil de la concentración de la vacante en en el cual la densidad máxima esté o cerca del plano central con la concentración que disminuye generalmente en la dirección de la superficie delantera del segmento. Los átomos del platino entonces en-se difunden en la matriz del silicio tales que el perfil de la concentración del platino que resulta está relacionado substancialmente con el perfil de la concentración de las vacantes del enrejado cristalino.
